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        蝕刻是將金屬材料用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。蝕刻技術可以分為『濕蝕刻』(wet etching)及『干蝕刻』(dry etching)兩類。在濕蝕刻中是使用化學溶液，經由化學反應以達到蝕刻的目的，而干蝕刻通常是一種電漿蝕刻(plasma etching)，電漿蝕刻中的蝕刻的作用，可能是電漿中離子撞擊芯片表面的物理作用，或者可能是電漿中活性自由基(Radical)與芯片表面原子間的化學反應，甚至也可能是這兩者的復合作用。在航空、機械、標牌工業中，蝕刻技術廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板，銘牌及傳統加工法難以加工之薄形工件等之加工。在半導體和線路版制作上，蝕刻更是不可或缺的技術。

        光化學反應是我們公司研發的高精密蝕刻機即通過光化學反應和化學蝕刻來加工金屬零件、金屬標牌、金屬薄片的一種工藝方法。該方法充分利用當前先進的計算機輔助設計技術，將需要加工的圖形制成菲林，然后將菲林圖形通過光化學反映到金屬材料表面，在金屬材料表面形成被保護起來的圖形或文字，再通過蝕刻的方法，把未保護的金屬材料蝕刻掉就產生出我們要加工的產品。

        蝕刻機的使用與傳統的機械沖制方法相比，具有生產周期短，修改尺寸方便快捷的優點；而機械沖制方法必須具備高產量，還要有沖制設備和模具加工設備。用蝕刻法的特殊性，零件的復雜程度與加工難易程度無關；相對而言，機械沖制方法對復雜的零件處理起來往往會增加制造難度，有的甚至無法加工。在標牌行業中蝕刻技術的應用大大提高。

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